ম্যাগনেটোডিওড কি এবং কোথায় ব্যবহার করা হয়

ম্যাগনেটোডিওড হল এক ধরনের সেমিকন্ডাক্টর ডায়োড, যার বর্তমান-ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্য একটি চৌম্বক ক্ষেত্রের প্রভাবে পরিবর্তিত হতে পারে।

স্বাভাবিক অর্ধপরিবাহী ডায়োড এর একটি পাতলা ভিত্তি রয়েছে যাতে চৌম্বক ক্ষেত্রটি তার বর্তমান-ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্যকে সামান্য পরিবর্তন করে। যদিও ম্যাগনেটোডিওডগুলি একটি পুরু (দীর্ঘ) বেস দ্বারা আলাদা করা হয়, যার সাহায্যে কারেন্টের পথের দৈর্ঘ্য উল্লেখযোগ্যভাবে বেসে ইনজেকশন করা বাহকগুলির বিলুপ্ত দৈর্ঘ্যকে ছাড়িয়ে যায়।

বেসের ঐতিহ্যগত বেধ মাত্র কয়েক মিলিমিটার, এবং এর প্রতিরোধ সরাসরি প্রতিরোধের সাথে তুলনীয়। p-n-জংশন… এর মাধ্যমে নির্দেশিত চৌম্বক ক্ষেত্রের আনয়ন বাড়ার সাথে সাথে ভিত্তিটির প্রতিরোধ ক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পায়, ম্যাগনেটোরেসিস্টরের মতো।

এই ক্ষেত্রে, ডায়োডের মোট প্রতিরোধ ক্ষমতাও বৃদ্ধি পায় এবং ফরোয়ার্ড কারেন্ট হ্রাস পায়।এই বর্তমান হ্রাসের ঘটনাটি এই কারণেও ঘটে যে যখন বেস রেজিস্ট্যান্স বড় হয়, ভোল্টেজ পুনরায় বিতরণ করা হয়, বেস জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ বৃদ্ধি পায় এবং p-n জংশন জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ হ্রাস পায় এবং সেই অনুযায়ী কারেন্ট হ্রাস পায়।

ম্যাগনেটোডিওডের বর্তমান-ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্য দেখে ম্যাগনেটো-ডায়োডের প্রভাব পরিমাণগতভাবে তদন্ত করা যেতে পারে, যা চিত্রে দেখানো হয়েছে। এখানে এটা স্পষ্ট যে চৌম্বকীয় আবেশ বাড়ার সাথে সাথে ফরোয়ার্ড কারেন্ট হ্রাস পায়।

আসল বিষয়টি হ'ল ম্যাগনেটোডিওড সাধারণ সেমিকন্ডাক্টর ডায়োডগুলির থেকে আলাদা যে এটি একটি উচ্চ প্রতিরোধের অর্ধপরিবাহী দিয়ে তৈরি, যার পরিবাহিতা তার নিজের কাছাকাছি এবং বেস d এর দৈর্ঘ্য বিচ্যুতি দৈর্ঘ্যের চেয়ে কয়েকগুণ বেশি। বিচ্ছুরিত বাহক L .যদিও সাধারণ ডায়োডে d L এর চেয়ে কম।

লক্ষ্য করুন যে ম্যাগনেটো ডায়োডগুলি ক্লাসিক ডায়োডগুলির বিপরীতে একটি বড় ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ দ্বারা চিহ্নিত করা হয়, যা সঠিকভাবে বেসের বর্ধিত প্রতিরোধের কারণে হয়। অন্য কথায়, একটি ম্যাগনেটোডিওড হল একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যার একটি পিএন জংশন এবং অ-সংশোধনযোগ্য যোগাযোগ রয়েছে যার মধ্যে একটি উচ্চ-প্রতিরোধী অর্ধপরিবাহী অঞ্চল রয়েছে।

চৌম্বকীয় ডায়োডগুলি অর্ধপরিবাহী দ্বারা তৈরি হয় শুধুমাত্র উচ্চ প্রতিরোধের সাথে নয়, চার্জ বাহকগুলির সর্বাধিক সম্ভাব্য গতিশীলতার সাথেও। প্রায়শই, p-i-n ম্যাগনেটোডিওডের গঠন, যখন i অঞ্চলটি প্রসারিত হয় এবং একটি উল্লেখযোগ্য প্রতিরোধের থাকে, এটি সুনির্দিষ্টভাবে এটিতে একটি উচ্চারিত চৌম্বকীয় প্রভাব পরিলক্ষিত হয়। এই ক্ষেত্রে, চৌম্বকীয় আবেশন পরিবর্তনের জন্য চৌম্বকীয় ডায়োডগুলির সংবেদনশীলতা একই উপাদান দিয়ে তৈরি হল সেন্সরগুলির তুলনায় বেশি।

উদাহরণস্বরূপ, B = 0 এবং I = 3 mA-তে KD301V ম্যাগনেটোডিওডের জন্য, ডায়োড জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ 10 V, এবং B = 0.4 T এবং I = 3 mA - প্রায় 32 V। উচ্চ ইনজেকশন স্তরে সামনের দিকে , ম্যাগনেটোডিওডের সঞ্চালন বেস মধ্যে ইনজেকশনের nonequilibrium বাহক নির্ধারিত হয়.

ভোল্টেজ ড্রপ প্রধানত একটি প্রচলিত ডায়োডের মতো p-n জংশনে নয়, বরং উচ্চ প্রতিরোধের ভিত্তিতে ঘটে। যদি বর্তমান-বহনকারী চৌম্বকীয় ডায়োডটিকে একটি ট্রান্সভার্স ম্যাগনেটিক ফিল্ড B-এ স্থাপন করা হয়, তাহলে বেস রেজিস্ট্যান্স বৃদ্ধি পাবে। এর ফলে ম্যাগনেটিক ডায়োডের মাধ্যমে কারেন্ট কমে যাবে।

«দীর্ঘ» ডায়োডে (d / L> 1, যেখানে d হল বেসের দৈর্ঘ্য, L হল ডিফিউশন বায়াসের কার্যকর দৈর্ঘ্য), বাহক বন্টন এবং তাই ডায়োডের (বেস) প্রতিরোধের দ্বারা সুনির্দিষ্টভাবে নির্ধারিত হয় দৈর্ঘ্য L.

L-এর হ্রাস বেসে ভারসাম্যহীন বাহকগুলির ঘনত্বের হ্রাস ঘটায়, অর্থাৎ এর প্রতিরোধের বৃদ্ধি। এটি, উপরে উল্লিখিত হিসাবে, বেস ভোল্টেজ ড্রপ বাড়ায় এবং p-n জংশন হ্রাস করে (U = const এ)। p-n জংশন জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপের কারণে ইনজেকশন কারেন্ট কমে যায় এবং তাই বেস রেজিস্ট্যান্স আরও বৃদ্ধি পায়।

ডায়োডে চৌম্বক ক্ষেত্র প্রয়োগ করে দৈর্ঘ্য L পরিবর্তন করা যেতে পারে। এই ধরনের প্রভাব কার্যত চলমান বাহকগুলির একটি মোচড়ের দিকে পরিচালিত করে এবং তাদের গতিশীলতা হ্রাস পায়, তাই, Lও এটির মতো হ্রাস পায়। একই সাথে, বর্তমান রেখাগুলি দীর্ঘায়িত হয়, অর্থাৎ, বেসের কার্যকর বেধ বৃদ্ধি পায়। এটি বাল্ক ম্যাগনেটিক ডায়োড প্রভাব।

চৌম্বকীয় ডায়োডগুলি ব্যাপকভাবে এবং বৈচিত্র্যময়ভাবে ব্যবহৃত হয়: অ-যোগাযোগ বোতাম এবং কী, চলমান দেহের অবস্থানের জন্য সেন্সর, তথ্যের চৌম্বকীয় পাঠ, বৈদ্যুতিক পরিমাণের নিয়ন্ত্রণ এবং পরিমাপ, চৌম্বক ক্ষেত্রের ট্রান্সডিউসার এবং কোণ ট্রান্সডিউসার।

ম্যাগনেটো ডায়োডগুলি যোগাযোগহীন রিলেতে পাওয়া যায়, সার্কিটে ম্যাগনেটো ডায়োডগুলি ডিসি মোটরগুলির সংগ্রাহকগুলিকে প্রতিস্থাপন করে। এসি এবং ডিসি ম্যাগনেটিক ডায়োড এমপ্লিফায়ার রয়েছে যেখানে ইনপুট একটি ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক কয়েল যা ম্যাগনেটিক ডায়োডকে চালিত করে এবং আউটপুটটি ডায়োড সার্কিট নিজেই। 10 A পর্যন্ত স্রোতে, 100 এর অর্ডারের লাভ পাওয়া যেতে পারে।

গার্হস্থ্য শিল্প বিভিন্ন ধরণের ম্যাগনেটোডিওড উত্পাদন করে। তাদের সংবেদনশীলতা 10-9 থেকে 10-2 A / m পর্যন্ত পরিবর্তিত হয়। এছাড়াও চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের শক্তিই নয়, এর দিকনির্দেশও নির্ধারণ করতে সক্ষম ম্যাগনেটোডিওড রয়েছে।

উপরোক্ত থেকে এটা স্পষ্ট যে চৌম্বকীয় ডায়োড ব্যবহারের জন্য ধ্রুবক বা পরিবর্তনশীল চৌম্বক ক্ষেত্রের উৎস প্রয়োজন। স্থায়ী চুম্বক বা ইলেক্ট্রোম্যাগনেট যেমন একটি উৎস হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। চৌম্বকীয় ডায়োডগুলি অবশ্যই ইনস্টল করতে হবে যাতে চৌম্বক ক্ষেত্রের রেখাগুলি অর্ধপরিবাহী কাঠামোর পাশের পৃষ্ঠগুলির সাথে লম্ব হয়।

চৌম্বকীয় ডায়োডগুলির অপারেশন অনুমোদিত হয় যখন তারা সিরিজে সংযুক্ত থাকে। পরিবেশের আপেক্ষিক আর্দ্রতা 98% পর্যন্ত এবং 40 ডিগ্রি সেলসিয়াস তাপমাত্রায় চৌম্বকীয় ডায়োডগুলি পরিচালনা করার প্রয়োজন হলে, ইপোক্সি রেজিনের উপর ভিত্তি করে যৌগগুলি ব্যবহার করে অতিরিক্ত সিল করার পরামর্শ দেওয়া হয়।